IMI推出用于氮化硅LPCVD应用的突破性技术
发布：安阳市世鑫氮化制品有限责任公司 浏览：3610次 发布时间：2018-08-01 11:59:39
硅科技公司Integrated Materials®, Inc. (IMI)昨日宣布取得一项重大研究突破，该技术将大幅提高该公司用于氮化硅(SiN) LPCVD应用的SiFusion™牌超纯多晶硅炉的性能，并延长其使用寿命。这种已申报的独特方法有望通过大幅延长维护活动之间的时间并减少颗粒缺陷，以的幅度提高SiN炉生产效率。该技术的工作原理是修改多晶硅表面的分子属性，形成一种适宜于薄膜附着力与应力管理的表面状态。
IMI的技术总监Sang In Lee博士说：“‘表面修改与分子加入处理’(SUMMIT)工艺是一种新工艺，可以增强硅表面和SiN薄膜等高应力薄膜之间的附着力。与IMI的专有表面处理技术相结合，SUMMIT工艺可以提供更好的粒子性能和比石英及SiC炉更长的清洗间隔期(MTBC)，从而提高IMI的硅热场的生产效率与性能。”
该技术的生产价值评估正在多个客户所在地进行，与IMI的战略营销伙Tokyo Electron的联合评估也在同步进行中。IMI相信，这一突破技术可将其SiN应用方面的性能优势提高到其竞争者望尘莫及的水平，进一步展示了其SiFusion™超纯多晶硅产品线的技术特色。
IMI执行官Daniel Rubin说：“我们相信，我们的新解决方案将有利于在现有技术节点下，更加有效地利用分批处理炉氮化硅工艺，并实现将现有分批处理炉工艺延伸到未来节点。这一成果无疑会提高生产效率，但是更重要的是，将减少粒子数，并提高产量。这一SUMMIT工艺成果是SiFusion™超纯多晶硅炉在2004年推出后，取得的大的多晶硅炉成果。”
对于构成LPCVD半导体炉管区中的处理室的可消耗部件，使用得广泛的术语是炉具(furnaceware)。IMI通过在其整个200毫米和300毫米SiN产品线(包括塔、底座、衬垫、喷嘴、挡板和档片)中采用SUMMIT工艺，为寻求大幅提高SiN性能并降低成本的客户带来了一个完整的解决方案。
